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桌面型掩膜对准紫外光刻机

本设备是我公司专门针对各大、专院及科研单位研发使用的一种精密光刻机,主要用于中小规模集成电器、半导体集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。

曝光类型:单面 曝光面积:110×110mm 曝光照度不均匀性:≤±5% 紫外光束角:≤5°

产品参数
基本参数
  • 曝光类型

    单面

  • 曝光面积

    110×110mm

  • 曝光照度不均匀性

    ≤±5%

  • 紫外光束角

    ≤5°

  • 紫外光中心波长

    365nm(出厂时标准配置为365nm,其他波段可选配,需在订货时提出)

  • 紫外光源时间

    ≥2万小时

  • 曝光分辨率

    2μm

  • 显微镜扫描范围

    X:±50mm,Y:±50mm

  • 对准范围

    X、Y调节±6.5mm,Z向移动范围10mm,Q向360°粗调,±5°精调

  • 套刻精度

    2μm(用户的“版”、“片”精度必须符合国家规定,环境、温度、湿度、尘埃能得到严格控制,采用进口正性光刻胶,且匀胶厚度能得到严格控制)

  • 曝光方式

    接触式曝光

  • 显微系统

    单目CCD显微系统,2000倍金相同轴光显微镜;光学放大倍数0.7X-4.5X;高清2K工业CCD相机;LED同轴光源;13.3寸挂屏

  • 掩模版尺寸

    ≤127×127mm

  • 基片尺寸

    ≤Φ102mm

  • 曝光定时

    0~999.9秒(可调)

  • 外形尺寸

    603mm×535mm×723mm(高度不含支脚)

  • 电源

    单相AC220V 50HZ

  • 设备所需能源

    220V±10%,50HZ

  • 基片厚度

    ≤5mm

  • 快门形式

    采用电子快门

产品特点
主要由对准工作台、单目CCD显微显示系统、LED曝光头、真空管路系统、直联式真空泵和附件箱等组成
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